附录C（资料性附录）均质处理过程及系统的校准

C.1 校准准则

均质处理过程及系统在100％装载量和10％装载量的情况下，均应满足图C.1中所示的时间-温度曲线的要求。

C.2 均质炉的装载及玻璃表面温度的测定

均质炉装载1个、2个、6个，8个或9个装载架的类型、放置方式及热电偶的放置位置见图C.2～图C.9。

应确定玻璃的间隔距离及间隔体的类型、位置、材料及形状。在校准过程使用的最小间隔应同均质生产过程中所采用的最小间隔相同。

C.3 校准过程

C.3.1 炉内温度的测量及玻璃表面温度的测量应在均质炉100％装载量和10％装载量两种状态下进行。100％装载量取决于玻璃的尺寸、厚度及均质炉的内腔体积。

C.3.2 在靠近气流出口处安装控温件以测定热浸炉内空气温度。玻璃表面温度用热电偶测量，热电偶的数量和布置见图C.2～图C.9，将热电偶与玻璃表面充分接触并粘在玻璃表面，其位置距玻璃边部距离应大于25mm。

C.3.3 校准开始时，炉内温度不得超过50℃。

C.3.4 在加热阶段，玻璃任一部位的温度不得超过320℃，并记录如下参数：

Te 控温件的温度（任一时刻）；

t1 第一个热电耦达到280℃的时间；

在t1时刻控温件的温度；

t2 最后一个热电耦达到280℃的时间；

控温件在整个加热阶段过程中的最高温度；

出现

的时间；

Tglass 用热电偶测量的玻璃表面的温度（在任一时刻）（见图C.2～图C.9）。

C.3.5 保温阶段从t2开始并保持至少2h。玻璃表面温度Tglass应保持在290℃±10℃范围内，记录控温件Te的温度。

C.3.6 冷却阶段从t2＋2h开始，记录控温件Te的温度。可在Te达到70℃或以下时打开均质炉门。

C.4 记录

试验参数：

——t1，Tc1；

——

；

——t2；

——Tc，Tglass；

——玻璃间隔距离；

——间隔体位置、材料、形状；

——装载架的类型及布置。

C.5 结果表达

如果温度曲线不能达到图C.1的要求，则认为该均质炉校准不合格。

只有在100％装载量和10％装载量两种情况下的校准温度曲线均满足图C.1的要求时，均质炉才可用于实际均质处理。